MRAM：磁阻式隨機存取記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory）
RRAM:電阻式隨機存取記憶體（Resistive Random Access Memory）
都是新興的記憶體技術
想請問板上專家們，如何看這兩種記憶體技術的發展如何？
是否未來未來會很有市場
感覺可能可以吃到未來的edge AI的市場？
不知道版友們怎麼看，謝謝
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推文 (32)
推
oysteromele
兩個記憶體取代DRAM高功耗。但DRAM市
36.236.253.115 07/04 22:13
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oysteromele
場捲的差不多了。如果量產[會挑戰PC
36.236.253.115 07/04 22:13
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oysteromele
既有的配置]未來我選2,磁阻技術目前
36.236.253.115 07/04 22:13
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oysteromele
只有在MEMS(螺旋儀）比較成熟，電阻
36.236.253.115 07/04 22:13
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oysteromele
技術比較好控制。個人淺見！
36.236.253.115 07/04 22:13
噓
pf775
都會被臺積電屌打吧
114.136.130.21 07/04 22:47
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oysteromele
G的新聞稿有…你可以自己查XD
36.236.253.115 07/04 22:50
推
tony890415
eflash 的升級版吧
39.12.41.19 07/05 01:21
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jumpout
RRAM未來大於MRAM, 都已有產品量產但能
176.2.184.128 07/05 01:26
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jumpout
否爆量還難說, 其他請見台積說法。
176.2.184.128 07/05 01:26
推
Narcissussss
台積不是有部門在做RRAM
101.12.234.162 07/05 03:50
推
kyle5241
你是不知道這些最強的都是GG嗎…
180.177.1.138 07/05 07:21
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kyle5241
車用晶片都是用它們的。製程最先進
180.177.1.138 07/05 07:21
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kyle5241
國家也是它們的，好像已經做到20奈
180.177.1.138 07/05 07:21
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kyle5241
米了
180.177.1.138 07/05 07:21
推
twTesla
直接看GG的論壇或新聞稿
27.52.6.71 07/05 09:29
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douge
氧化物最近有很多突破 選RRAM
140.112.175.204 07/05 09:33
推
OFETMAN
兩個性價比都很低 取代dram作夢，特殊應
42.72.155.2 07/05 13:45
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OFETMAN
用就潮而已也不是非它們不可，現況如此但
42.72.155.2 07/05 13:45
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OFETMAN
未來不好說，真要比 R比較有希望
42.72.155.2 07/05 13:45
推
crazyha
之前看報導 目前1MB就要賣好幾百 到家用
49.218.143.182 07/05 17:21
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crazyha
還挺早的fu
49.218.143.182 07/05 17:21
推
chewei55
很貴
1.163.220.175 07/06 06:55
推
johnnyguava
RRAM 存儲密度很難追上 NAND Flash
70.95.179.83 07/06 12:15
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johnnyguava
儘管讀寫極快又能bit level operatio
70.95.179.83 07/06 12:16
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johnnyguava
n 但目前沒有找到一個商業化取代現行
70.95.179.83 07/06 12:16
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johnnyguava
技術的施力點
70.95.179.83 07/06 12:16
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hank780420
RRAM機制上就是壽命有限在倒數計時的
180.177.0.120 07/09 21:07
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hank780420
這兩個大部分還是在做嵌入式
180.177.0.120 07/09 21:07
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hank780420
MRAM有少量特殊stand alone的應用
180.177.0.120 07/09 21:08
推
ctct0513
NAND 與RRAM 應用完全不同。
42.79.30.244 07/11 17:55
推
putti0615
沒有用 可靠度完全不行 沒廠商要用
61.227.29.37 07/13 14:27