自由時報 陳麗珠／核稿編輯 韓國半導體人才及技術 快被中國挖空 https://i.imgur.com/nopdjUY.jpeg 韓媒爆料，中企不僅挖角韓國半導體人才，還竊取HBM等先進技術。示意圖。（路透） 〔財經頻道／綜合報導〕南韓記憶體產業正遭遇來自中國的嚴峻挑戰，今年第一季長江存儲 佔全球快閃記憶體市佔來到8.1%，嚇壞南韓。韓媒披露，中企技術之所以進步神速仰賴挖角 和偷技術，不僅挖角三星和SK海力士的人才，還竊取HBM（高頻寬記憶體）等先進技術，甚 至繞過美國制裁，不惜開出比行情價高出1.7至2倍的價格，從韓國狂掃設備。 韓國媒體《Hankyung》報導，中國記憶體公司曾竊取三星和SK海力士的技術，如今僅剩一年 時間就可能威脅韓企的地位，韓國正面臨「紅色記憶體入侵」挑戰。 根據統計，中國長江存儲今年第一季佔全球快閃記憶體市場比重來到8.1%，這是中國半導體 公司市佔率首次得到官方確認。業內人士預測，照此速度發展，長江存儲將在一兩年內與SK 海力士和美光等廠商並駕齊驅。 同時，在DRAM市場部分，中國長鑫存儲的市佔率已達4%，這意味著長期以來該產業三足鼎立 的局面可能被打破。根據市場研究公司 TrendForce 的數據，2025 年第一季，長江存儲在 全球 NAND 市場排名第六，市佔率 8.1%，第一名至第五名依序為：三星電子（31.9%）、SK 海力士（16.6%）、美光（15.4%）、鎧俠（14.6%）和 Sanisk（12.9%）。 在DRAM領域，長鑫存儲以4.1%的市佔率位居第四，前三名依序為SK海力士（36%）、三星電 子（33.7%）和美光（24.3%）。 業內人士5日透露，韓半導體產業在收到TrendForce第一季市佔率報告後，大吃一驚。專家 警告，中國「紅色記憶體」的入侵才剛開始，這些公司背靠強勁的中國國內需求，如今擁有 頂尖技術。 報導稱，長江存儲已開發出約300層的NAND產品，與三星相當。長鑫存儲目前正在開發第四 代高頻寬記憶體（HBM3）。市場預計今年下半年，長江存儲將躋身全球NAND市場前三，長鑫 存儲也將與三星、SK海力士和美光公司，成為全球四大DRAM廠商之一。首爾國立大學教授黃 哲成（音譯）直指，10年內，全球DRAM領導地位可能從韓國轉移到中國。 https://i.imgur.com/N4IfBTx.jpeg 外媒指出，中國企業加價狂掃半導體設備。示意圖。（路透） 報導還踢爆，美國制裁促使中國記憶體企業以70%的加價購買韓國設備，目前韓國半導體設 備商正忙於應對來自長鑫存儲和長江存儲等中國公司的爆量訂單，這些公司正在囤積製造LP DDR5和HBM等先進產品所必需的設備。 為了快速獲得設備，這些中國公司經常提出緊急訂單，開價比原價高出1.7到2倍。一家韓國 半導體設備公司的代表說，中國記憶體公司正在加大對開發HBM3等下一代半導體所需的最先 進設備的訂單。 報導提及，長鑫存儲和長江存儲對韓國設備的興趣並非空穴來風。全球超過90%的半導體設 備市場由應用材料公司和科林研發等美商，或東京威力科創等日商掌控。韓國產品受美國監 管較少，因此成為中企透過第三國採購的替代方案。 報導指出，中國企業技術快速進步歸功於挖角人才和獲得技術，中企試圖竊取HBM等先進技 術，或從三星和SK海力士挖角人才的案例屢見不鮮，類似的狀況在南韓以外的國家也時常發 生。荷蘭國防部長Kajsa Ollongren最近告訴路透，中國正在增強其半導體技術間諜活動， 業界懷疑中國試圖竊取ASML的EUV技術。 https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/5066997 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.72.36.103 (臺灣) ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1749275879.A.19F.html