碳化矽SiC小檔案》第三代半導體材料 可取代部分矽晶圓
自由時報
https://ec.ltn.com.tw/article/paper/1353343
碳化矽（SiC）是第三代半導體材料，具備高導熱性、高穿透率、高飽和電子漂移速率和
寬能隙能等特性，可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻、微型輕量化，以及
抗輻射等惡劣條件的新要求，是安定度非常高的化合物半導體。
至於應用面，以碳化矽製成的碳化矽晶圓（片）在效能上比目前矽晶圓表現更佳，多應用
在高壓高速產品，如高鐵、風力發電系統等重電設施，但未來在自駕車以及電動車的趨勢
下，碳化矽晶圓的高散熱優勢，即可取代部分矽晶圓，成為未來的發展趨勢
（記者張慧雯）
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lucid1994
這東西加工超難做的 又脆又硬
02/23 23:57
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Haderson
6吋一片5000鎂 還買不到
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ntupeap
不就金鋼砂
02/24 01:13
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avgirl
喊多久惹
02/24 01:27
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bug914
難加工成本高,還有很長一段路要走..
02/24 08:25
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ian41360
Flatness超慘 PH 會先崩潰
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ots625
接近鑽石的硬度
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Shepherd1987
高成本高缺陷
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lucid1994
高成本 低利潤
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nike3238
是不是想炒一波短線
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wanderincs
平坦度真的很爛....黃光做到死
02/26 11:28