這個問題短短的，但是認真回起來可是會變萬言書的。
光阻(photoresist,PR)是用來定義晶圓圖案的介質，光線經過光罩.透鏡將圖案轉移至光
阻上，再透過蝕刻將這層圖案轉印到底下的晶圓上，這就是簡單的半導體製作流程。
光罩上的圖案，是由光線轉印到光阻上，那要怎樣才能讓圖案越來越 小，就是半導體的
製程演進。22nm,16nm,14nm,12nm,7nm,5nm....這些就是製程世代中，用來表現製程能力
的代稱，在記憶體(ex:NAND)，這個數字代表BL/WL pitch 的1/2。
要如何讓光阻上轉印的圖型越來越 小，詳細請餵狗。總的來說，用波長較短的光是最簡
單的。如KrF波長248nm，ArF波長193nm，這些通稱DUV。KrF對應的世代是0.15-0.25um，A
rF對應0.13-0.18um
EUV波長為13.5nm，對應的則是則是7nm,5nm或以下。
從130nm - 7nm中間的空缺，則由193i以及多重曝光或多次圖型化技術給填上。
對應不同波長的光，就會有不同的光阻，一般你會聽到KrF光阻就是給248nm光源使用，Ar
F就是給193nm光源使用。Immersion光阻就是給193i使用。EUV光阻不用我講吧。
一般來說，7nm，5nm用到EUV，光阻就會跟14nm相異。如果7nm，5nm還是使用193i搭配多
次圖型化技術，那跟14nm使用的光阻大致上一樣。
當然，光阻會有很多改進。當光波長變短，對應的光阻就會變的更薄更軟(對蝕刻的講法
，就是更不耐蝕刻)。
光阻廠商會做很多的調整，讓光阻厚度，均勻度或抗蝕刻能力較佳。也有些調整是有關缺
陷(defect)的改進，同樣都是KrF，各家使用也是有所不同。
簡單科普，希望有幫到你。
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 110.28.34.48 (臺灣)
※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1575355369.A.F38.html
這只是基本知識，連機密的邊都沾不上。
我記得我不是回在股版啊。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/03/2019 18:05:45
閣下學識淵博，能把這些常人餵狗都不見得能理解的事當常識。
不是黃光弟兄，只是個求知欲比較高的打雜工。
奇實還有一種光阻叫負光阻，顯影過的地方是留著的。
NAND的製程世代是B/LWL的1/2 pitch。NAND是4F^2的Cell size。
這個講起來有點雜
NAND原本的製程世代是BL/WL的1/2pitch。但是在進入1字頭世代，為了搶快開始出現BL是
1X，WL是2X的NAND，這時也宣稱是1字頭世代，等到BL/WL都是1X的時候，就叫1字頭 + 世
代。
邏輯則是FinFET之後，製程世代的數字就越來越迷，I皇一套，T哥一套，星弟也一套。總
的來說是Fin pitch 的1/3約略等同製程世代，但這也只是約略，不是約定俗成的計算法
。
科普是要一般人都看的懂
報告是要給老師看的，寫科普報告上去肯定是低分那群。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:47:51
常識是指一般大眾普遍擁有，不需要特別學習的事。
知識是需要經過學習理解的過程而得到的，所以這些應該算基本知識。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 07:52:16
對非黃光出身的人而言，這些知識太深。非理工科系甚至可以直接放棄理解。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:01:54
這跟線寬有很大的關係
主要還是光阻的深寬比(AR)
有時光阻厚度需求超過了深寬比的最大值，這時就需要對光阻成份做調整，讓光阻不會因
為過高而倒塌(Collapse)。
另外還有可能就是缺陷的問題(defect)。
通常遇到這類問題，改另一種光源或xxx (可能有點違規
的風險，就請恕我保留)通常會比調整光阻成份容易。畢竟一種新成份光阻的使用與上線
，存在的後續作業太繁瑣。除非另一種光阻已經有在FAB使用，那就只是適用性的問題。
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:42:13
※ 編輯: negohsu (110.28.34.48 臺灣), 12/04/2019 09:44:32
推文 (85)
推
michaelgodtw
路人學經驗
12/03 14:45
→
y800122155
樓下歐底特 這篇幾顆星?
12/03 15:12
推
kk123
☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆ ☆
12/03 16:13
推
sdbb
先推再看，謝謝
12/03 16:15
推
louis021789
希望這種認真文越來越多
12/03 17:08
噓
JJiaK
輕輕鬆鬆問出技術細節 保密都不用了
12/03 17:26
推
jeff40108
估狗就有的要保什麼密XD
12/03 17:33
推
thumba87295
某樓以為這樣就機密，你當tune參數的都87？
12/03 17:41
推
ssmmll
保密 XD
12/03 17:42
推
motan
感謝科普，文組表示知道了。
12/03 17:51
→
luche
直接回我 5434現在是便宜還是貴?
12/03 17:54
→
j0958322080
文組才覺得這是細節
12/03 18:09
推
a810086
認真文推一個，黃光製程基礎入門課
12/03 18:11
推
djboy
推
12/03 18:21
→
wzmildf
這東西隨便買一本半導體製程課本應該都有吧..
12/03 18:52
→
feel159357
哈哈六樓是反串吧
12/03 18:54
推
nastie
推 用心回覆
12/03 18:54
推
darkangel119
笑死 這是機密XD 要不要先關三天
12/03 19:01
推
double21
對我們門外漢科普一下還是很有用的！
12/03 19:07
→
double21
感謝！
12/03 19:07
推
maikxz
笑死這細節機密XDDDDDDDDDDDD
12/03 19:10
推
HeartBreaker
台灣似乎沒有公司能做出半導體用的光阻
12/03 19:38
推
newper
感謝分享，這篇把我的記憶都找回來了XD，我是開篇原PO
12/03 19:53
推
newper
因為成功轉Q，我那本半導體製程早就丟了(不知道華通書局還
12/03 19:57
→
newper
在不在)
12/03 19:57
推
a810086
我記得台灣還是有可以自製的半導體光阻，但是良率不好
12/03 20:06
→
faniour
依進步的速度，生產對應的光阻，資本支出要很大
12/03 20:18
→
faniour
機台不更新很難做對應的產品
12/03 20:18
→
faniour
另外如果沒有一間公司願意陪練，很難做出成熟產品
12/03 20:19
→
faniour
再加上信心度跟品牌形象問題，很難有後面的競爭者
12/03 20:20
推
superex
推
12/03 20:30
噓
dxdy
誰給你基本知識 這根本是常識
12/03 20:33
推
Qcloud
推
12/03 20:34
推
ddiuyxx
認真文
12/03 20:56
推
henryyeh0731
之前達興好像有在玩光阻，不曉得成果如何就是了
12/03 21:01
推
lf2andnet
用心給推
12/03 21:01
推
Satansblessi
達興的不錯啊 但僅限於面板業，半導體光阻還是AZ
12/03 21:57
→
Satansblessi
和日商為主
12/03 21:57
推
loveFigo
推科普
12/03 22:05
推
kurll
真正的機密是參數設定跟process內容好嗎 某樓？
12/03 22:13
推
qwe172839
感謝休息時間不多的黃光弟兄還出一篇好文
12/03 22:25
推
loveFigo
光阻（PR) 基本上就高分子跟紫外光反應，被UV能量打斷鍵
12/03 22:35
→
loveFigo
結的部份顯影就被洗掉
12/03 22:35
→
loveFigo
不同波長能量不同，會產生斷鍵反應的鍵結也不同
12/03 22:35
推
jfsu
BL/WL pitch 的1/2 是DRAM, NAND不是用這個算的唷
12/03 22:44
推
h321123aa
這就大方向提一提，機密在哪…
12/03 22:46
推
loveFigo
其實記憶體跟logic線寬不能直接對應
12/03 22:56
→
loveFigo
搞不好記憶體的19nm design rule 跟logic對應起來接近7n
12/03 22:58
→
loveFigo
m.
12/03 22:58
→
loveFigo
(純舉例，詳細數字我也不知道
12/03 22:58
推
angerenergy
推推
12/03 23:17
推
bopanda
推
12/03 23:40
推
chariot825
科普的超好
12/04 00:14
推
Mei2521
機密啥 我上課做的報告都比這詳細
12/04 02:15
推
CarlOrz
推
12/04 02:32
推
tuyere1127
趕緊推一下免得被發現看不懂
12/04 04:34
推
homer00
推一下
12/04 06:32
推
mmx9797
隔行如隔山 這真的算常職了
12/04 07:39
推
rosseta0702
推
12/04 08:10
→
faniour
光阻有正負型的差別
12/04 08:21
→
faniour
大部分的光阻是光酸或光起始劑去跟成份反應
12/04 08:27
→
faniour
高分子比較少做為吸光中心，斷裂也是斷側鏈為主
12/04 08:28
推
ato99
那同光源為何也有不同光阻的配置是和後續流程有關嗎？
12/04 09:29
推
Satansblessi
老師您真佛心，還一個一個回覆，認真給推！
12/04 09:44
推
z790305000
推一個0.0
12/04 09:56
推
geniusw
太神啦
12/04 09:59
推
b777300
陰刻跟陽刻
12/04 11:29
噓
ngxx
機密 ㄎㄎ
12/04 11:32
推
moonchris
文組背完抄三次準備面試去 謝謝
12/04 11:58
推
c08371
你這段能默寫也沒辦法pass大學部蝕刻課 是要去面試掃地工
12/04 12:56
→
c08371
嗎
12/04 12:56
推
loveFigo
印象中正型解析度比較好，小線寬幾乎都正型？
12/04 15:14
→
loveFigo
如果同樣喊7nm, I皇線寬會比較小
12/04 15:15
→
loveFigo
後來I皇就出來講要比單位面積電晶體密度
12/04 15:16
推
modkk
這機密啥？機密是如何做到，不是原理
12/04 21:06
推
modkk
還有AZ已經被併購了，目前唐榮那邊主要是做面板光阻，半導
12/04 21:12
→
modkk
體沒那麼多
12/04 21:12
推
rabbit2233
感謝
12/04 22:44
推
yclt
推推
12/05 00:46
推
ISNAKEI
負光阻用在面板的彩色濾光片比較多
12/05 10:28
推
koibido
推
12/05 19:30
推
carterlin
感謝囉 之前看同機台但轉layer而有speedloss
12/06 08:16
推
frontseat
一般台灣研發以為原理是機密?原理不是入門的基本能力
12/06 14:06
→
frontseat
嗎？偏偏一堆台灣研發連基本原理都不太懂 才會東藏西
12/06 14:07
→
frontseat
藏自以為是機密 哈哈
12/06 14:07