三星電子開始量產下一代存儲器MRAM http://bit.ly/2EQf11L 三星電子已開始使用代工製程生產磁阻隨機存取記憶體（MRAM：magnetoresistive random-access memory），這是未來的半導體之一，市場預估MRAM將改變半導體市場的格 局。因為，MRAM克服了SRAM、DRAM、Flash限制，MRAM與DRAM一樣快，並且與NAND般即使 在斷電時也能保持數據。 三星電子於2019年3月6日宣布並發表首次發貨儀式，已開始在基於28奈米全耗盡絕緣體矽 （FD-SOI）工藝的生產線上批量生產和商業化嵌入式MRAM（eMRAM）解決方案，在 Giheung Campus設立鑄造生產線。 該解決方案解除了在數據記錄期間擦除數據的需要，並且實現了比傳統快閃記憶體處理快 約1000倍的寫入速度。三星表示，由於它在電源關閉時保存儲存的數據並且不使用額外的 備用電源，因此它還具有出色的電源效率。 三星電子將FD-SOI工藝與嵌入式設計技術相結合。在FD-SOI工藝中，矽晶片覆蓋有絕緣膜 ，在頂部形成電晶體(transistor)。其特徵在於在電晶體工作期間產生的漏電流顯著減少 。該公司在FD-SOI流程中增加了嵌入式存儲器技術。嵌入式記憶體技術是一種記憶體模組 ，用於系統半導體中的信息儲存，如微控制器單元（MCU）和小型電子設備中使用的片上 系統（SoC）。 三星電子表示，該解決方案結構簡單，可以通過在當前基於邏輯流程的設計中添加最少層 數來實現，從而減輕需求公司對進行新設計和降低生產成本的負擔。三星計劃擴展其嵌入 式記憶體解決方案，從今年開始生產1 Gbe MRAM測試晶片開始。三星電子計劃明年(2020) 建立18-nm FD-SOI eMRAM流程。 ----------------------------- 三星半導體業務在Q1營收大跌，應對政策除了往7奈米製程進攻外，亦開始使用代工製程 生產MRAM，目前三星對MRAM未來的生產與前景非常看好。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 203.145.192.245 ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1552288804.A.BFA.html