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作者oway15 (clinical lycanthropy)
標題[請益] 微影時無法分辨二氧化矽與矽的差異
時間Sat Feb 10 14:46:50 2018
原文PTT 原始連結 ↗
不好意思 這類問題我認為有業界經驗的人會比較清楚 所以前來詢問 這個月我進行微感測器的製作 製程僅三道光罩製程 基板有事先沉積5000A的二氧化矽 目前進度是僅完成第一道光罩製程 即是：微影→BOE蝕刻→離子佈值→退火 目前於第二道光罩製程的微影上卡關 https://i.imgur.com/SyajyDr.jpg https://i.imgur.com/KszApqi.jpg 將目前的試片 直接用顯微鏡照射能看到淺淺的圖型 但是一旦塗佈上光阻 就什麼都看不到了 https://i.imgur.com/lPyVeme.jpg https://i.imgur.com/GYdFRq2.jpg 上面兩張圖是對準晶圓邊緣的校準記號 但是顯微鏡顯示卻是一片漆黑 原本想說因為我使用的是厚光阻AZ4620 就去中山借用了微影系統 他們使用的是AZ1500 塗佈後光阻厚度僅1.5um 但是當他們光罩對準機的光學顯微鏡一打下去 同樣是一片雪白 無法分辨矽與二氧化矽的差異 可是後來想想要是真的無法分辨矽與二氧化矽 那目前市面上的MOSFET到底是怎麼做出來的？ 我認為問題一定出在我製程的某個環節上 不好意思打擾大家 謝謝各位 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.200.46.76 ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1518245213.A.90B.html 5000A其實算很厚了吧… ※ 編輯: oway15 (1.200.46.76), 02/10/2018 15:23:29 您好 其實顯微鏡夠亮是看得到圖形的 但是那光線強度無法用於微影校正 應該會使光阻曝光… 當時於中山做完微影後 用他們的顯微鏡檢查是可以明顯判別的 不過如下圖所示 無法對準硬曝光的結果就是點都偏掉了 焦距與能量強度因為當時並非我操作 會再詢問謝謝 https://i.imgur.com/Q54CPqb.jpg 會問問看感謝 NEMS版流量太低跑到這邊 真不好意思 ※ 編輯: oway15 (110.50.179.86), 02/10/2018 16:39:10 感謝各位指點 目前看來我最有可能做到的方法 就是沉積完二氧化矽之後 先微影出校準記號 後續沉積鈦＋白金後用金屬剝離法製作出圖形 然後才開始進行反應區製作 已經看到改善的方向了 感謝各位幫忙 謝謝 ※ 編輯: oway15 (61.230.10.204), 02/11/2018 20:51:27 ※ 編輯: oway15 (61.230.10.204), 02/11/2018 20:52:00

推文 (52)

→ articbear 5000A太淺了吧 覺得應該看不到... 02/10 14:53
→ resudi 光阻的折射率跟二氧化矽太接近了 02/10 15:16
推 youkiller 就機台差異啊 當你有一台6000萬的機台 你就不會有這 02/10 15:23
→ youkiller 個問題了 學校呵呵 02/10 15:23
→ poemsing 列幾種可能：（1）第一道蝕刻吃太淺，導致align mark蓋 02/10 15:32
→ poemsing 上光阻後不明顯。（2）anneal的thermal budget沒算好， 02/10 15:32
→ poemsing 導致oxide還是amorphous。(3)確認第二道mask 是不是沒la 02/10 15:32
→ poemsing yout align mark，很蠢，但是真的有可能……(4)OM or SE 02/10 15:32
→ poemsing M設定錯誤，OM焦距對比調看看/SEM 能量調高點 02/10 15:32
推 m4vu0 去問邱主任的實驗室學生 02/10 15:33
推 rgnvgy 我覺得是p大說的3，la mark 問題 沒有或線寬太小 02/10 15:58
噓 sendtony6 1.5um 很厚好嗎...另外你跑錯地方了 02/10 16:04
→ sendtony6 OM的DOF是nm等級的~你蓋那麼厚看不到前層是很正常 02/10 16:06
→ sendtony6 4樓亂教 SEM只看的到當層~跟SEM一點關係都沒有 02/10 16:12
推 melzard 有沒有試過把光阻拔掉再去看一下alignment mark? 02/10 16:32
推 melzard OM就看不到的話那和SEM就無關聯了 02/10 16:34
推 gj942l41l4 在MEMS來說1.5um是薄沒錯 02/10 16:54
推 gj942l41l4 你要不要試試看 整片不曝直接顯影 再拿去外面的OM或 02/10 17:00
→ gj942l41l4 可能線寬太細了 外面強光看得到的話 可能把mark的線 02/10 17:03
→ gj942l41l4 寬加大試試 02/10 17:03
推 film Level sensor? 02/10 17:07
推 gj942l41l4 反正只要不是蝕刻沒吃出來或光阻流不進去 一切好談 02/10 17:10
→ gj942l41l4 aligment mark的線寬不會影響你實際成品的功能 02/10 17:11
→ shaddle 如果你的AM只有0.5um深，看不到很正常 02/10 17:32
→ articbear 同意樓上S大 我的意思就是5000A要當AM太淺了吧QQ 02/10 18:06
推 articbear 我之前學生時代做的MOS第二道光罩要對的AM是用metal ga 02/10 18:08
→ articbear te順便一起做的 02/10 18:08
推 sendtony6 製作前段STI的PR都很薄，因為resolution才夠，1.5 um這 02/10 18:24
→ sendtony6 種都是後段甚至是封裝業在使用的 02/10 18:24
→ wzmildf 封裝都馬十幾um在摳的 02/10 19:34
推 lponnn thermal budget不是這種用法吧? 02/10 21:07
→ lponnn 抱歉會錯意惹 02/10 21:28
推 ricyear 電子顯微鏡看不到前層拉 業界都是用雷射光源反射訊號對 02/10 21:48
→ ricyear 準然後用可見光量測結果拉 02/10 21:48
推 jkasc28s 你sio2離子佈值完就洗掉了吧，要一個KEY光罩先RIE基板吃 02/10 22:15
→ jkasc28s 出key圖形方便後面對準 02/10 22:15
推 joshhuang100 以前用om勉強能看出500a深的Trench你這沒理由看不到 02/11 08:01
推 j2222222229 學校機台的問題，有個方法是可以用負光阻搭配oxide 02/11 11:11
→ j2222222229 做微影變化 02/11 11:11
推 iFann GG的N28開始double paterning製程段就有這樣狀況 02/11 12:01
→ iFann 上光阻時有三層(有一層含Si),要搭配不同蝕刻薄膜的連續製程 02/11 12:03
→ iFann 才能做完(我講的很模糊,關係人應該知道是哪段) 02/11 12:03
推 ming5566 多一道光罩隨便co個金屬上去當AM不就好惹 02/11 12:25
推 ticketwoon 一開始先在空地做alignment mark吧。選Au or Ti 加上 02/11 14:39
→ ticketwoon lift off process 02/11 14:39
推 S0053011 想法同上層,但你後面的mark應該要打掉重來，有金屬當mar 02/11 19:07
→ S0053011 k比較好 02/11 19:07
推 lolitass 看不懂Orz 02/11 19:45
推 ann167c 同樓上，建議先作一個第0層mark，金屬比oxide的辨識度高 02/12 22:34
推 giggs11s 某S6大不要亂教好嗎...，STI層薄是因為DOF小，膜厚才薄 03/04 00:28
→ giggs11s ，還有FEOL也是有光阻厚的層，有些離子注入層是使用厚 03/04 00:28
→ giggs11s 光阻 03/04 00:28
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