來源： https://goo.gl/Wb1jt2 原文： 三星史無前例撒錢擴充半導體！3D NAND恐過剩、陸企哀 三星電子(Samsung Electronics Co.)今(2017)年的半導體資本支出大幅增加、增幅出 乎市場意料之外，科技市調機構IC Insights警告，這會讓3D NAND型快閃記憶體供給過剩 ，也扼殺了中國企業在3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。 IC Insights 14日發表研究報告指出，今年全球半導體資本支出有望成長35%至908億 美元，其中三星今年的支出高達260億美元、遠多於去年的113億美元，比英特爾(Intel Corp.)、台積電(2330)加總起來來要多。 IC Insights總裁Bill McClean指出，他追蹤半導體產業這37年來，從未看過如此積極 的資本支出計畫，三星今年的支出規模，在半導體業界可說是史無前例。 該機構預測，三星今年第4季的半導體資本支出將達到86億美元，佔全球半導體產業支 出總額(262億美元)的33%。與此同時，三星Q4的導體銷售額，對全球佔比則將達16%。IC Insights估計，三星今年的260億美元半導體支出當中，140億美元會分配給3D NAND、70億 美元分配給DRAM、50億美元分配給專業晶圓代工(用來擴充10奈米製程產能)。 三星今年的龐大資本支出，對未來影響極大。該機構相信，3D NAND市場很可能會有一 段供過於求的時期，除了三星大舉支出外，競爭對手(如SK Hynix、美光、東芝、英特爾等 )也會跟著擴充產能、以免喪失市佔率。另一方面，三星大舉支出，也等於扼殺了中國在 3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.173.143.209 ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1510784575.A.71C.html ※ 編輯: kof70380 (1.173.143.209), 11/16/2017 06:23:12