[新聞] 張忠謀：3奈米製程會出來 2奈米後很難

作者AAAB ()

標題[新聞] 張忠謀：3奈米製程會出來 2奈米後很難

時間Sat Sep 23 21:13:05 2017

晶圓代工廠台積電董事長張忠謀表示，摩爾定律可能還可再延續10年，3奈米製程應該會出來，2奈米則有不確定性，2奈米之後就很難了。張忠謀今天出席交通大學EMBA的20週年慶活動，演講「成長與創新」。張忠謀面對聽眾提問時指出，「摩爾定律是否到盡頭」這題目已經談了很多年。張忠謀表示，1998年英特爾（Intel）總裁貝瑞特來台時，兩人曾針對摩爾定律還可延續多久進行討論，他當時回答還有15年，貝瑞特較謹慎回答，大概還有10年。現在已經2017年，張忠謀表示，兩人當時的答案都錯了；他指出，目前大膽預測摩爾定律可能再有10年。張忠謀表示，台積電明年將生產7奈米製程，5奈米已研發差不多，一定會出來，3奈米也已經做2至3年，看來也是會出來。張忠謀指出，先進製程設計很貴，設計後做成晶片，市場會很小的確是個疑慮，他認為，儘管不保證市場會很大，但還是會有市場。張忠謀解釋，他預測摩爾定律可能再有10年，是包含了3奈米製程，2奈米做的成還是做不成，還要幾年才會知道，有不確定性，2奈米之後很難了。摩爾定律是由英特爾創辦人Gordon Moore提出，指晶片上可容納的電晶體密度，約每18至 24個月便會增加一倍。 http://www.cna.com.tw/news/afe/201709230112-1.aspx -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 122.121.26.200 ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1506172388.A.9A8.html

推文 (86)

推 ptta 台積電再戰十年！ 09/23 21:14

推 cloud7515 根本外星科技 09/23 21:16

推 HardyJJ Apple 設計只剩這賣點了？ a12..a13...a14...??? 09/23 21:16

→ HardyJJ iPhone 8跟7比差在那？媽的還更醜 09/23 21:17

→ HardyJJ 根本拉機 09/23 21:17

推 d147258 這樣還能稱為定律嗎？ 09/23 21:19

推 hardware 2應該5年後 09/23 21:20

推 NSYSUEE 遲早走到物理極限，除非找到新的物質或材料 09/23 21:23

→ stosto 重點是你做出來推在那邊沒人會封裝阿 09/23 21:23

推 tivallion 十年剛好我可以退休 09/23 21:24

推 Cger morris預測較準難怪幹掉intel 實力有差 09/23 21:24

推 MRFROG 我30nm 09/23 21:26

→ Yujjlin 3nm???出來信心喊話ㄇ，極度樂觀的看法 09/23 21:40

推 youkiller 樓上，嗆GG的，草都比人高囉 09/23 21:45

推 void0 我信GG 09/23 21:55

推 b2209187 整天說gg幹掉intel是很認真的嘛 09/23 21:57

→ wtl GG的3nm等於intel的幾nm? 09/23 22:15

噓 jwcscv 摩爾定律工程師的業績指標 09/23 22:25

推 cloud7515 市值不是超越了嗎 09/23 22:47

推 pandoniswu 1奈米是極限嗎？ 09/23 23:00

推 luckysmallsu 3nm跟2nm效能會差很多嗎....... 09/23 23:09

推 lponnn 台積和三星都是灌水的啦 09/23 23:13

推 tivallion 不是說重點是封裝跟不上嗎 09/23 23:14

→ smallmeo 3nm -> 2nm 縮小1/3喔 09/23 23:16

→ tenninetall 先定義一下兩邊的奈米是不是一樣的單位XD 09/23 23:21

推 ssd4107 可能往SiP走吧？臺積電已經有研發封裝技術 09/23 23:22

推 mathlover 做那麼小到底要幹嘛？ 09/23 23:24

推 ssd4107 一奈米是物理上的極限，但不代表不能以其他方式增加效能 09/23 23:25

推 cancboy 灌水的啦~ 09/23 23:32

→ Cliffx GG要GG了 09/23 23:35

→ nemies 用準分子雷射慢慢打阿，然後再來哭沒電...... 09/23 23:43

噓 mm978 從十年前就在說已經物理極限再多喊十年總是會對 09/23 23:45

推 youkiller GG 24名 intel 36名一定有人跳出來嗆市值不重要強 09/24 00:21

→ youkiller 烈建議GG買下intel 09/24 00:21

→ swyehe 幹想說再5年就可以順理成章的離職真他阿公的 09/24 01:00

推 ice80712 我只知道摩里斯定律>>摩爾定律 09/24 01:24

推 speakristen 為什麼1奈米是極限? 不可能做到5埃嗎？ 09/24 01:41

推 bikigaya 難怪看到有sng車 09/24 01:41

推 nikolas 80幾歲了還這麼認真張爺爺真是不簡單 09/24 02:03

推 Ndaydayman 3nm出來後張差不多也完全交棒接班人了吧，剩下就不是 09/24 02:43

→ Ndaydayman 他的事了 09/24 02:43

推 stl3 如果製程成本高到一個程度大概也不會再研發了吧畢竟GG是工 09/24 02:45

→ stl3 廠而不是研究單位做出來沒人買就沒意義了 09/24 02:46

推 ZXCWS 改走立體結構 09/24 03:05

→ hylkevin 1nm=1000pm 以前.13um時代也是一天到晚說物理極限結果 09/24 04:02

→ hylkevin 不到20年又縮了20倍 09/24 04:02

推 hsbtw 希望Morris能再戰十年 09/24 06:37

推 Noel7788 一個氫原子直徑大約1A，代表1nm就是10個氫原子排起來這 09/24 07:48

→ Noel7788 麼長......3nm能成功的話，真的很噁心..... 09/24 07:48

推 nick65415 樓上弄清處CD的定義好嗎 09/24 08:27

推 ljsnonocat2 現在的奈米都不奈米了都是等效長度 09/24 09:02

推 Cys0418 我們可以封裝啊啊啊啊啊 09/24 10:12

推 ciplu 量子CPU啥時要出？ 09/24 10:17

推 babypanda finfet繼續努力 09/24 10:28

推 tomwu770926 穿隧效應 09/24 10:37

推 iamgyfan GAA 09/24 11:25

推 francishsu 三年後的事先做好就好了 09/24 11:57

→ francishsu 十年後...台灣人會怎樣再說吧 09/24 11:57

推 pooboy01 可以做但沒經濟效益而已研發成本太貴了 09/24 13:37

→ pooboy01 2025差不多除非電池有突破不然未來應用的裝置其實不 09/24 13:39

→ pooboy01 太需要用到更省電力的商品吧目前CPU效能夠用了 09/24 13:40

推 Clemens71 可悲的是就算3nm開發出來量產薪水獎金也不會多管他幾 09/24 14:22

→ Clemens71 nm 09/24 14:22

推 ohsong 用在人體裡面的ic越小越好吧 09/24 14:58

推 allenc38 樓下老二1奈米製程 09/24 16:13

推 udtsean 第一顆電晶體不是Si,而是Ge，結果幾十年後又走回來Ge(SiG 09/24 21:43

→ udtsean e),Ge or SiGe 的mobility大於Si, I proportional to u*W 09/24 21:43

→ udtsean /L, u 變大，L就可以不用縮小，間接等效比較小的L搭配Si 09/24 21:43

→ udtsean 。另一個是SiP的3D IC, 在 z 方向堆疊，也等同於面積不變 09/24 21:43

→ udtsean 、電流變大(等效上Channel length L 變小)。用excimer la 09/24 21:43

→ udtsean ser 慢慢打是不行的，因為excimer laser 的 wavelength ( 09/24 21:43

→ udtsean 248, 193, 157 nm) 遠大於 3nm, 所以 ASML 才會那麼費功 09/24 21:43

→ udtsean 夫的一路慢慢激發轉換波長，也因此導致耗電(能源利用效率 09/24 21:43

→ udtsean 差，中間一堆轉換成熱)。接下來不是e-beam就是 X-ray 了 09/24 21:43

→ udtsean 吧！哈哈 09/24 21:43

推 Shepherd1987 樓上哈哈 09/24 23:28

推 wellkom 還在那邊嘴封裝，明教三口都已經出局了，一定是GG自己來 09/25 12:00

推 jjrdk 出個超省電的比較實在 09/25 12:37

推 mbor 差不多了 09/25 15:01

推 udtsean 接下來會是 Silicon Nanowire,先用Lithography定義Au，然 09/25 22:05

→ udtsean 後利用AuSi eutectic point低的特性長出Silicon nanowire 09/25 22:05

→ udtsean 。曝光要曝出2nm or 3nm很難，可是sputter要depo 2nm 3nm 09/25 22:05

→ udtsean 的Au很簡單。 09/25 22:05

→ HFET 即便 tech node naming 變成 code name, G翁星人還是猛猛der 09/26 22:44

→ HFET Sieg Ｇ翁！Sieg Ｇ翁！ 09/26 22:46

推 dickwarrier 3nm之後還需要研發部門嗎？ 12/13 23:46