如題
請問大大知道Pattern Density effect嗎?(也有人稱為Loading effect)
知道Pattern Density與u-trench/fence/facet的關係嗎?
Pattern Density 與EPD(End point detection)之間有何關係嗎?
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推文 (31)
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jerry31528
轉到蝕刻半年你就懂了
07/30 00:30
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dubian77
哈哈 居然看的懂！
07/30 00:34
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dubian77
颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得
07/30 00:36
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dubian77
你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！
07/30 00:36
推
e76628
難得清流！ 加油
07/30 00:38
推
xcri0922
Clear ratio
07/30 12:40
推
xcri0922
曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Mic
07/30 12:57
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xcri0922
roloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題
07/30 12:58
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xcri0922
一陣子~~
07/30 12:58
推
vmcld9
我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小，
07/30 13:10
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vmcld9
所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有patte
07/30 13:10
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vmcld9
rn有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～
07/30 13:10
推
vmcld9
sorry,請把macro改成micro
07/30 13:16
推
xcri0922
還在學習, 感謝Vm大大~~
07/30 13:20
推
chaoskyuriop
給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看
07/30 14:44
推
chaoskyuriop
第二個問題的話 通常來講 PR在wafer上佔的面積越少
07/30 14:46
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chaoskyuriop
Endpoint越好抓
07/30 14:46
推
chaoskyuriop
原因是有顯開的地方 才是主要蝕刻的部分 若蝕刻都在
07/30 14:48
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chaoskyuriop
吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD
07/30 14:48
推
smartl
樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole
07/30 18:40
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smartl
內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。
07/30 18:40
推
negohsu
一般hole沒有EP
07/30 18:49
推
chaoskyuriop
對蝕刻而言哪有分hole的內外 外就是光阻 內就是沒
07/31 09:58
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chaoskyuriop
光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕
07/31 09:58
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chaoskyuriop
刻物的反應物發出的emission spectra
07/31 09:58
推
chaoskyuriop
所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿
07/31 10:00
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chaoskyuriop
滿的洞 是有可能抓得到ep的
07/31 10:00
推
chaoskyuriop
這部分歡迎站內討論 剛好最近有遇到相關的issue
07/31 10:06
推
negohsu
一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via
07/31 19:05
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negohsu
就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度
07/31 19:05
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negohsu
的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP
07/31 19:05