由於這是個很有意思的題目，所以我稍微搜尋了一下相關的文獻
又由於蔽人在下我的英文很爛，且這不在我的專業領域內,若有錯誤請幫忙指正，若是有
這方面專業者請不吝指教
我使用的初始關鍵字為cobalt damascene(以下我簡稱為鈷製程),然後由reference搜尋到
相關的文獻,大致上說的是copper damascene(以下簡稱銅製程)在10nm世代終結(這裡的世
代就如同台積的16,10,7nm,非指damascene的pitch)
雖然說銅的電阻率比鈷還低很多，但是銅製程中的阻障層(barrier)並不容易再減少厚度
，在銅電鍍的過程中會因為可填入銅的體積劇減，產生空隙(void)
因此10nm以下,需要改進阻障層的材質或是採用新的導體，也就是鈷
由於鈷可以使用無電電鍍底部成長型填充製程(electroless bottom up fill in),可以製
造
出無空隙(void free)導線，因次可藉次取代銅製程
對於一般半導體廠，銅製程依舊是最佳選擇，因為銅的電阻率比鈷低很多
對於台積、英特爾、***來說(我該提聯電嗎？),更先進的製程或許會採用鈷製程
而最有潛力的運用商，會是DRAM廠
在高深寬接觸窗( high aspect ratio contact)的金屬填充上，底部成長型填充是非常有
吸引力的誘因
以上，提供給想知道更多的人一點個人所知的訊息
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.8.117.142
※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1495191711.A.590.html
我依悉有印像看到 Electromigration還可以，但是我沒有特別的針對這個主題，因為我
只是想知道CU在7nm以下為什麼得改用CO
抱歉啊，我不是相關領域的，不知道是否是較高等級
請參考這遍 https://goo.gl/IGrHlP
※ 編輯: negohsu (61.223.120.47), 05/20/2017 07:30:17
推文 (42)
推
lien952
長知識
05/19 19:07
推
TatsuyaShiba
長知識+1
05/19 19:13
推
coldplay0416
推 謝謝分享
05/19 19:15
推
iwaitforyou
推
05/19 19:16
推
ljsnonocat2
感謝 長知識了
05/19 19:21
推
cain5485
認真！！感謝
05/19 19:26
推
Unstable
受教了！
05/19 19:36
推
roveralex
謝謝分享
05/19 20:17
推
chechung
推
05/19 20:25
推
wuhaha151
長知識了
05/19 20:28
→
aptivaibm
electroless 感覺是指化鍍,是的話藥水商應該很爽..
05/19 20:28
→
aptivaibm
bottom up fill in 有點像是深孔鍍膜...y
05/19 20:31
推
ji3ao6fu06
受教了
05/19 20:33
推
mandibular
barrier是哪一層阿]
05/19 20:39
推
alpacawu
electroless無電電鍍 用化學氧化還原法鍍
05/19 20:45
→
negohsu
barrier在銅的底下。感謝補充我不知道的部份
05/19 20:49
推
Homedoni
推個
05/19 20:58
推
acctouhou
我現在就在觀察雙晶銅的void 我難過qq
05/19 21:09
推
werz
應該很多人早就知道換成cobalt吧
05/19 21:13
推
werz
2 .3年前就在測試台積的Co pattern
05/19 21:15
推
acctouhou
沒想到這麼快qq
05/19 21:20
推
a1106abc
推～不過銅也能無電鍍啊
05/19 21:32
推
katnissin
感謝～長知識了
05/19 21:46
→
p23j8a4b9z
感謝 原本看到記者說銅導電>鈷還以為是記者亂寫
05/19 21:54
→
p23j8a4b9z
寫錯是<
05/19 21:55
推
Leifoxx
漲汁4了 推
05/19 21:55
推
ThonMaker
不過Co不是取代Cu吧？
05/19 22:18
推
melzard
那鎳沒被嘗試過嗎?
05/19 22:48
推
treeyoyo
metal layer嗎?
05/19 23:10
推
sssnss
有人研究Co的電遷移嗎
05/19 23:32
推
r781013
恩 不知道EM嚴不嚴重..
05/20 00:08
推
flyinsky1984
感謝～
05/20 01:00
→
luche
想請教文中指的銅通常都是較高等級的無氧銅嗎
05/20 01:01
推
FTICR
我看到的是(雖然文章有點舊2014) 把Co沉積在Ta/TaN上再
05/20 01:27
→
FTICR
fill Cu 可以 fill 更好減少 void https://goo.gl/tH3eUN
05/20 01:27
推
Seikan
AMAT設備商王朝的領土 又擴展了一大步
05/20 07:15
推
ph99
推!
05/20 08:09
推
dan0000
無電鍍雜質很多耶！ foundry 可以接受？ 有點懷疑！
05/20 09:23
推
JBNHT
感謝分享
05/20 09:47
推
CLC32
Gap-fill
05/20 22:46
推
astushi
Cobalt EM比Cu好 用在連結上下層的via 基本上各層metal
05/22 00:32
→
astushi
還是copper
05/22 00:32