http://technews.tw/2017/04/28/samsung-mram-note-8/ 作者 MoneyDJ 次世代記憶體大戰開打，英特爾研發「3D cross point」技術，擬推「PRAM」。三星電子 不甘示弱，發表「MRAM」（magnetoresistant random access memory，磁阻式隨機存取 記憶體），號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。 fudzilla、IBTimes、南韓經濟日報報導，三星 24 日發表「MRAM」，此種次世代記憶體 兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點，無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快。三星宣 稱，MRAM 是非揮發性記憶體，採用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫數據， 速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時（active）耗電量比傳統記 憶體少，停用時（inactive）更無需用電。 目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產難度較高。 現在三星只能少量生產，但是預期能盡速克服生產障礙。 三星同時宣布，歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將採用 MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產 28 奈米的全耗盡型絕緣層上矽（FD-SOI）。 IBTimes 猜測，倘若三星 MRAM 量產進展順利，或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就 會內建 MRAM，以便做出市場區隔。MRAM 用於智慧手機可加快處理速度，並更為省電。 ------ 次世代記憶體 Intel有3D cross point (PRAM) 三星有MRAM 台灣咧? 記憶體廠都差不多玩完了...GG又沒做記憶體 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 182.234.133.46 ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1493400640.A.A51.html