原文標題： 三星研發新型 NAND 快閃記憶體技術，功耗暴降 96% 原文連結： https://www.ithome.com/0/900/747.htm 發布時間： 2025/11/27 16:40:56 記者署名： 遠洋 原文內容： IT之家 11 月 27 日消息，三星宣佈其研究團隊在儲存技術領域取得重大突破，成功開發 出一種新型 NAND 快閃記憶體結構，可將功耗降低逾 90%。該成果有望重塑人工智慧資料 中心、移動裝置及其他依賴儲存晶片的終端產品的未來。 據 ETNews 報導，三星先進技術研究院（SAIT）主導研發了這一超低功耗 NAND 快閃記憶 體技術。該新型結構創新性地融合了鐵電材料與氧化物半導體，相關研究成果已發表於全 球頂尖的多學科科學期刊《自然》（Nature）。 據IT之家瞭解，NAND 快閃記憶體是一種非易失性儲存介質，即使斷電亦可長期保存大量 資料，其工作原理是通過向儲存單元注入電子實現資料寫入。為提升儲存密度，業界普遍 採用堆疊更多儲存層的方式建構晶片，但這同時也顯著增加了資料讀寫過程中的能耗，尤 其在大規模資料中心場景中，功耗問題已成為亟待解決的關鍵瓶頸。 而三星研究團隊成功攻克了這一難題。氧化物半導體因閾值電壓不穩定而難以控制，過往 被視為技術障礙；然而，研究團隊另闢蹊徑，將其與鐵電結構協同設計，變“劣勢”為優 勢：鐵電材料具備自維持電極化特性，無需持續供電即可保持狀態。 得益於此項創新設計，新架構實現了高達 96% 的功耗降幅。三星表示，該突破完全依託 其內部自主研發，由三星電子 SAIT 與半導體研究所共計 34 名研究人員共同完成。 “我們已驗證了實現超低功耗 NAND 快閃記憶體的可行性。”三星電子 SAIT 研究員、本 研究第一作者 Yoo Si-jeong 表示，“在 AI 生態系統中，儲存器的角色日益關鍵。未來 我們將持續推進後續研究，目標是實現該技術的商業化落地。” 與此同時，三星正著力提升其儲存業務盈利能力。面對 DDR5、LPDDR5X 及 GDDR7 等 DRAM 產品需求持續攀升及價格上漲的市場環境，公司將重點最佳化高附加值產品的供應 策略，以強化盈利結構。 心得/評論： 三星在《自然》發表一篇基於FeFET的超低功耗記憶體技術 https://www.nature.com/articles/s41586-025-09793-3 這種新型FeFET記憶體在傳遞電壓幾乎為零的條件下 仍能實現每單元最多5bit的多階儲存能力 達到甚至超越現有NAND水準 與傳統 NAND相比 最高可節省 96% 的功耗 三星電子今天股價103500 +0.68% -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.229.17.79 (臺灣) ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Stock/M.1764237407.A.2E5.html