原文標題：攜手英特爾 聯電12奈米明年通過驗證 ※請勿刪減原文標題 原文連結：https://ynews.page.link/hk1sK ※網址超過一行過長請用縮網址工具 發布時間：張瑞益／台北報導 2025年4月28日 週一 上午4:10 ※請以原文網頁/報紙之發布時間為準 記者署名：張瑞益／台北報導 2025年4月28日 週一 上午4:10 ※原文無記載者得留空 原文內容： 聯電營運報告書出爐，與英特爾合作開發的12奈米FinFET製程技術平台進展順利。聯電董事 長洪嘉聰指出，預計2026年完成製程開發並通過驗證；聯電也揭露封裝領域進展，晶圓級混 合鍵合技術、3D IC異質整合等技術已成功開發，未來將全面支援邊緣及雲端AI應用。 全球半導體產業面臨多重挑戰，聯電2024年依然交出每股稅後純益3.8元的成績單，有鑑於 陸系成熟製程廠商不斷開出產能，為避免走向競價商模，聯電轉型特殊製程及差異化應用， 並為AI時代做好準備。聯電近日發布2024年年報及至股東營運報告書，揭示多項關鍵技術突 破與營運成果。 聯電強調，與英特爾合作開發的12奈米FinFET製程技術平台，預計2026年完成製程開發並通 過驗證，符合該公司設定2027年量產時程。有鑑於美國政府提升美國製造重要性，特別是半 導體領域生產需求，市場解讀，這項合作更是聯電追求成本效益產能擴張及技術升級的重要 策略，目前進展順利，對其商機持樂觀態度，並肯定聯電12奈米技術的競爭力。 在先進封裝技術方面，聯電利用晶圓級混合鍵合技術（W2W hybrid bonding）實現尺寸微縮 ，已完成產品驗證，預計於今年進入量產；在邊緣AI方面，與供應鏈建立W2W 3D IC專案， 進入邏輯晶片與客製化記憶體的異質整合驗證；並成功在矽中介層加入深溝槽電容（Deep T rench Capacitor, DTC），為2.5D封裝晶片提供電源完整性，已完成產品驗證並進入試產。 聯電去年資本支出約29億美元，主要用於台南Fab 12A、新加坡Fab 12i與中國Fab 12X的產 能擴充，及各廠產品組合的優化。聯電強調，多元製造基地布局，成為該公司在地緣政治複 雜變化中的競爭優勢，台灣、新加坡、日本和中國大陸的生產基地為客戶提供彈性供應鏈選 擇。 聯電去年研發支出156億元，除了前述12奈米平台外，還成功開發22奈米影像訊號處理器、2 8奈米嵌入式高壓低功耗製程平台及氮化鎵元件製程。 此外，值得注意的是，氮化鎵射頻開關元件製程進入量產，氮化鎵射頻功率放大器（PA）元 件製程及氮化鎵650V功率元件製程皆已進入客戶產品驗證和試產階段。 心得/評論： 川帝要的美國製造 GG大力建廠美積電 二哥用英皇的設備在美國生產， 二哥提早佈局，應該也是對川有交代。 股價抗跌，什麼時候往上走 ※必需填寫滿30正體中文字，無意義者板規處分 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.77.123.16 (臺灣) ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Stock/M.1745805577.A.BC5.html