原文標題： SRAM密度較高下 美科技網站：台積電N2遠勝英特爾18A 原文連結： https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4884370 發布時間： 2024/12/05 06:20 記者署名： 編譯魏國金／台北報導 原文內容： 美國科技網站Tom's Hardware報導，台積電的2奈米（N2）製程在靜態隨機存取記憶體（ SRAM）的密度上優於英特爾的1.8奈米（18A）製程。根據2025國際固態電路研討會（ 2025 ISSCC）先進計畫，英特爾的18A SRAM密度大幅低於台積電的N2，較接近台積電的3 奈米（N3），不過，相較台積電的N2，英特爾的18A可能仍有其他重要優勢。 報導說，英特爾18A製程的特點是具有 0.021 μm^2 的高密度 SRAM 位單元尺寸（因此達 成約 31.8 Mb/mm^2 的 SRAM 密度），這與台積電N3E與N5提供的一致。相較之下，台積 電N2製程技術將 HD SRAM 位單元尺寸縮小至 0.0175 μm^2 左右，使 SRAM 密度達到 38 Mb/mm^2。 18A與N2都依賴環繞式閘極（GAA）電晶體，但有別於英特爾，台積電成功縮小其高密度 SRAM位單元尺寸。不過應該注意的是，除了SRAM的位單元大小外，SRAM的一個關鍵特性是 其功耗，目前並不真正知道在此指標上，18A與N2如何比較。 SRAM密度是最難以用現代製程技術微縮的東西之一，因為這涉及複雜的設計、對穩定性與 可靠性的操作要求，以及在較小節點上增加可變性。換言之，一些現代技術相較於其他製 程節點，有較大的SRAM單元尺寸，並不足為奇。 心得/評論： intel一直聲稱18A在2025量產 並且目前進度一切順利 預期新CEO上台會有一波拉升 希望是台灣人，如果是印度.... 當然除了製造方面，設計似乎也有問題 這都是要考慮進去的 -- 「我看不到」 「欸 我真的看不到」 「 」 「我還是什麼都看不到啊...」 「我看不到我看不到我看不到!」 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 36.233.82.151 (臺灣) ※ 文章網址: https://webptt.cc/bbs/Stock/M.1733358309.A.540.html